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          超聲測厚發(fā)展簡(jiǎn)史

            我們知道,超聲測量?jì)x器,無(wú)論是測厚儀還是探傷儀,本質(zhì)上都是“計時(shí)儀器”,即記錄脈沖的發(fā)送和接收、計算“發(fā)送”和“接收”的時(shí)間差、乘以輸入的超聲波在被測介質(zhì)中傳遞的速度(即該介質(zhì)中的超聲波聲速),由此得出介質(zhì)的厚度、或者是缺陷的在介質(zhì)中的位置。兩者的差異,概括而言,“超聲波測厚”更關(guān)注脈沖信號記錄的精確性和唯一性,而“超聲波探傷”更關(guān)注脈沖信號的深度傳遞和信號捕捉的全面性(即不可遺漏、不可錯過(guò))。

            通常情況下,超聲測厚不需要超聲波傳遞得太遠(如果太厚,就不需要太精確的測量了),所以在超聲測厚中,儀器的標稱(chēng)范圍,其上限一般都會(huì )是508mm,這個(gè)上限數值是一種“歷史沿革”,即最早的超聲波測厚,有幾個(gè)邊界條件:

            1,介質(zhì)的超聲波聲速在5900m/s上下;

            2,只考慮超聲波在介質(zhì)中的散射衰減、且該衰減水平與普通碳鋼(比如45#鋼)相近;

            3,儀器的電路結構所能給予換能器(也就是探頭)的能量是有限的;

            4,需要多個(gè)探頭的交替使用才能覆蓋全量程。

            自超聲測厚技術(shù)誕生至今,材料學(xué)和工藝學(xué)的發(fā)展豐富多彩,被測介質(zhì)的聲學(xué)特性也呈現出令人眼花繚亂的多樣性,因此,在超聲測厚技術(shù)的應用和超聲測厚儀器的選擇上,不能圉于傳統的認知。

            超聲測厚儀器的研制、生產(chǎn)和應用,已歷時(shí)百年、歷經(jīng)“五代”。

            第一代儀器,采用的是“始脈沖——回波”技術(shù)。

            即,以“換能器的晶振片起始脈沖”和“第一次底面回波”的時(shí)間差為基礎來(lái)計算厚度。國內的普通測厚儀基本上都是這種技術(shù)。

            第二代儀器,采用的是“界面——回波”技術(shù)。

            即,事先剔除脈沖信號從晶振片開(kāi)始到被測物表面的時(shí)間;

            這種技術(shù)的出現,其目的本來(lái)是為了剔除“晶振片到探頭保護膜的距離”給測厚帶來(lái)的誤差,事實(shí)上,這個(gè)“距離”,與要測的厚度通常不在一個(gè)數量級上,因此,其適用性只在一個(gè)很窄的范圍內才有意義。這種技術(shù)自本世紀初,在國外的儀器中開(kāi)始有大量的應用,但作為一種“權宜之計”的過(guò)渡技術(shù),很快被跨越,不到五年的時(shí)間,就讓出了它的“領(lǐng)先地位”。

            第三代儀器,采用的是“回波——回波”技術(shù)。

            即,以“第一次底面回波”和“第二次底面回波”的時(shí)間差為基礎來(lái)計算厚度;這種技術(shù),與“界面——回波”技術(shù)有相同的地方,即,都不用考慮“晶振片到探頭保護膜的距離”帶來(lái)的測量誤差,但同樣,只在小范圍內才有適用意義。

            這種技術(shù)得以應用,其更大意義在于:該技術(shù)改變了儀器的電路結構,使得儀器可以給換能器(探頭)更大的能量、并能更好地分檢回波信號,因此,應對“信號衰減”,采用這種技術(shù)的儀器比前兩代儀器有了質(zhì)的提升;也因此,“回波—回波”,成了迄今為止先進(jìn)超聲波測厚儀共同的技術(shù)基礎。

            第四代儀器,采用的是“A掃描信號測厚”技術(shù)。

            前面三代都是“讀數型測厚儀”,不管讀哪幾次波,最終都是靠事先設定的程序由儀器來(lái)判定和計算的。而“A掃測厚儀”則是將所有的信號都顯示在屏幕上,由操作者自行判斷、并且可以計算任意兩次波的時(shí)間差,也就是說(shuō),將測量的主動(dòng)權交給了操作者,這對于分析型測厚、以及雜波信號較多的測厚非常有幫助;

            第五代儀器,采用的是單晶探頭。

            前面四代測厚儀,使用的都是雙晶探頭(只有在超薄件測厚中,才有專(zhuān)門(mén)的機型使用高頻單晶探頭),而雙晶探頭,由于晶振片排列的結構性因素,超聲波的傳遞呈現出一個(gè)“V”型路徑,這意味著(zhù),晶振片發(fā)射和接收信號的有效面積勢必受到“V”路徑的影響,也就是說(shuō),每個(gè)雙晶探頭的測厚范圍受晶振片直徑、晶振片斜角的影響較大。


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